个人简历
王广才，1987年7月南开大学电子科学系本科毕业，获学士学位，1996年7月南开大学光电子所博士毕业，获博士学位。1998~2005年在香港MOSDESIGN (HK) LTD.访问学者。近几年已发表论文16篇，主持和参与14项科研项目，经费合计为2024.33万元，其中主持国家863计划等课题9项，合计经费844.33万元。研究方向：硅基薄膜太阳电池的设计和研制；薄膜型锑化铟霍尔元件的研制。 |
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科研项目/成果/获奖/专利
高性能低成本薄膜型锑化铟霍尔元件的研发----2019-01到2020-01
高性能低成本薄膜型锑化铟霍尔元件的研发----2018-01到2018-12
高效低成本硅基薄膜电池制造技术研发（863计划）----2013-01到2015-12
超声波喷雾法制备光伏玻璃减反射膜（天津市科技计划）----2010-04到2013-03
一种采用镀膜法制备宽光谱高透过率增透膜的方法，授权专利号：ZL 2014 1 0390242.6
霍尔元件芯片，授权专利号：ZL 2019 2 1282606.3
一种圆锅夹具与一种镀膜装置，授权专利号：ZL 2019 2 1313365.4
磁吸式抛光夹具和抛光装置，授权专利号：ZL 2019 2 1139558.2
其他横向项目----2021-08到 现在
锑化铟霍尔元件芯片----2024-05 到 2027-08
专用霍尔元件芯片----2023-06 到 2023-09
专用霍尔元件芯片----2021-08 到 2022-02
论文/专著/教材
1、Thin Ferrite Wafer Uniformly Polished with Magnetic Attraction Method, ECS Journal of Solid State Science and Technology; DOI: 10.1149/2162-8777/abb3af； 2020 9 074004
2、Role of Moisture in the Preparation of Efficient Planar Perovskite Solar Cells; ACS Sustainable Chemistry & Engineering； DOI: 10.1021/acssuschemeng.9b03913； 2019，7，17691-17696
3、Effect of substrate temperature on F and Al co-doped ZnO films deposited by radio frequency magnetron sputtering; Solar Energy; DOI: 10.1016/j.solener.2019.09.095; 194 (2019) 471–477
4、薄膜型锑化铟霍尔元件芯片测试系统的设计与实现，《自动化与仪器仪表》，2021年第2期（总第256期），93-96+99
5、温度和气压对InSb薄膜中Sb/In摩尔比的影响，《半导体技术》，2021年第46卷第7期，546-552
6、用于太阳模拟器的新型匀光器，《光学学报》，2020年第40卷第24期，pp: 2436001
讲授课程
1、《大学物理（二）》；2、《等离子体放电原理与应用》（博士/硕士）
3、《气候变化与清洁能源》；4、《3D打印及应用》
社会兼职
无。
